[发明专利]硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用

权利要求书

1.一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于该晶体的化学式为BaB₂S₄，分子量为287.20，非中心对称结构单晶体，晶系为正交晶系，空间群为Cc，晶胞参数a=6.665(3)Å，b=15.727(6)Å，c=6.039(2)Å，β=110.987(4)°，Z=4，单胞体积V=591.0(4)ų，具体操作按下列步骤进行：

a、在含水量和含氧气量均为0.01-0.1ppm的充有惰性气体为氮气的密闭容器内按摩尔比1:3:4；1:4:6；1:2:4；1:2:5；1:3:5；1:4:6或1:3:6称取硫化钡或单质钡，单质硼，单质硫混合均匀，放入干净的石墨坩埚中，然后装入内表面渡碳的石英玻璃管中，将石英管在真空度为10^-5-10^-3Pa抽真空后封口；

b、将步骤a中的封好的石英管放入高温炉中，以升温速率为35-40℃/h升至900-950℃，保温，保温时间为15-20h，然后降至室温，时间100-150h；

c、再以3-5℃/h的速率冷却降温，得到硼硫化钡BaB₂S₄中远红外非线性光学晶体。

2.如权利要求1所述的硼硫化钡中远红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于步骤b中真空容器加热升温至900℃。

3.如权利要求1所述的硼硫化钡中远红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于步骤c中硼硫化钡冷却降温的速率为4℃/h。

4.如权利要求1所述方法获得的硼硫化钡中远红外非线性光学晶体在制备红外波段激光变频晶体、红外电-光装置、红外通讯器件或红外激光制导器件中的用途。