[发明专利]一种半导体功率器件封装模块及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体功率器件封装模块及其制造方法，所述半导体功率器件封装模块的制造方法，包括以下步骤：形成复合树脂板，在所述复合树脂板中形成多个呈矩阵排列的通孔，在每个通孔中均嵌入一个金属柱，所述金属柱的顶表面与所述复合树脂板的上表面齐平，每个所述金属柱的一部分从所述复合树脂板的下表面露出，接着在所述复合树脂板的上表面沉积多层导热结构层，然后形成电路布线层，在所述电路布线层上装配多个电子元器件以及多个引脚，最后形成树脂密封层。本发明的半导体功率器件封装模块具有优异的密封性能、抗震性能、导热性能以及稳定性能，增长了其使用寿命。

主权项

1.一种半导体功率器件封装模块的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在聚四氟乙烯层的上表面粘结聚丙烯层，在所述聚丙烯层的上表面粘结顺丁橡胶层，在所述顺丁橡胶层的上表面粘结聚对苯二甲酸乙二醇酯层，在所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层的上表面粘结硅橡胶层，在所述硅橡胶层的上表面粘结聚碳酸酯层，在所述聚碳酸酯层的上表面粘结异戊橡胶层，在所述异戊橡胶层的上表面粘结聚苯醚层，以形成复合树脂板；2）在所述复合树脂板中形成多个呈矩阵排列的通孔，所述通孔贯穿所述复合树脂板，接着在每个通孔中均嵌入一个金属柱，每个所述金属柱的顶表面与所述复合树脂板的上表面齐平，每个所述金属柱的一部分从所述复合树脂板的下表面露出，每个所述金属柱的下表面均具有一凹槽，所述凹槽的顶面与所述复合树脂板的下表面处于同一水平面；3）接着在所述复合树脂板的上表面沉积导热金属层，接着在所述导热金属层的上表面沉积氮化硅绝缘层，接着在所述氮化硅绝缘层的上表面沉积氧化铝绝缘层，接着在所述氧化铝绝缘层的上表面沉积二氧化硅绝缘层，所述导热金属层的厚度为300‑500纳米，所述氮化硅绝缘层的厚度为200‑400纳米，所述氧化铝绝缘层的厚度为300‑600纳米，所述二氧化硅绝缘层的厚度为50‑100纳米，以形成复合导热基板；4）在所述二氧化硅绝缘层上沉积一导电金属层，并对所述导电金属层进行图案化处理以形成一电路布线层，所述导电金属层的厚度为0.5‑1微米；5）在所述电路布线层上装配多个电子元器件以及多个引脚，所述电子元器件包括功率元件和控制元件；6）形成树脂密封层，所述树脂密封层完全包裹所述电子元器件和所述电路布线层，所述树脂密封层包裹所述复合导热基板的上表面和侧表面，所述树脂密封层还包裹所述聚四氟乙烯层的下表面，所述金属柱的下端部从所述树脂密封层中露出，所述树脂密封层还包裹每个所述引脚的一部分，且每个所述引脚的另一部分裸露于所述树脂密封层，所述树脂密封层的材料包括聚四氟乙烯10‑20份；聚丙烯30‑50份；聚对苯二甲酸乙二醇酯20‑40份；聚碳酸酯10‑30份；聚苯醚10‑20份；顺丁橡胶5‑10份；硅橡胶5‑10份；异戊橡胶5‑10份；2,4‑二羟基二苯甲酮0.3‑0.6份；癸二酸双‑2,2,6,6‑四甲基哌啶醇酯0.3‑0.5份；亚磷酸三壬基苯酯0.5‑1份；γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷1‑2份；2,5‑二甲基‑2,5‑双(叔丁基过氧基)己烷1‑3份；2，5‑二苯甲酰基过氧化‑2，5‑二甲基己烷0.1‑0.5份；乙烯基三乙酰氧基硅烷0.2‑0.4份；玻璃纤维1‑5份；氮化硅粉末 1‑3份，氧化铝粉末1‑5份。