[发明专利]一种半导体功率器件封装模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件封装模块的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）在聚四氟乙烯层的上表面粘结聚丙烯层，在所述聚丙烯层的上表面粘结顺丁橡胶层，在所述顺丁橡胶层的上表面粘结聚对苯二甲酸乙二醇酯层，在所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层的上表面粘结硅橡胶层，在所述硅橡胶层的上表面粘结聚碳酸酯层，在所述聚碳酸酯层的上表面粘结异戊橡胶层，在所述异戊橡胶层的上表面粘结聚苯醚层，以形成复合树脂板；

2）在所述复合树脂板中形成多个呈矩阵排列的通孔，所述通孔贯穿所述复合树脂板，接着在每个通孔中均嵌入一个金属柱，每个所述金属柱的顶表面与所述复合树脂板的上表面齐平，每个所述金属柱的一部分从所述复合树脂板的下表面露出，每个所述金属柱的下表面均具有一凹槽，所述凹槽的顶面与所述复合树脂板的下表面处于同一水平面；

3）接着在所述复合树脂板的上表面沉积导热金属层，接着在所述导热金属层的上表面沉积氮化硅绝缘层，接着在所述氮化硅绝缘层的上表面沉积氧化铝绝缘层，接着在所述氧化铝绝缘层的上表面沉积二氧化硅绝缘层，所述导热金属层的厚度为300-500纳米，所述氮化硅绝缘层的厚度为200-400纳米，所述氧化铝绝缘层的厚度为300-600纳米，所述二氧化硅绝缘层的厚度为50-100纳米，以形成复合导热基板；

4）在所述二氧化硅绝缘层上沉积一导电金属层，并对所述导电金属层进行图案化处理以形成一电路布线层，所述导电金属层的厚度为0.5-1微米；

5）在所述电路布线层上装配多个电子元器件以及多个引脚，所述电子元器件包括功率元件和控制元件；

6）形成树脂密封层，所述树脂密封层完全包裹所述电子元器件和所述电路布线层，所述树脂密封层包裹所述复合导热基板的上表面和侧表面，所述树脂密封层还包裹所述聚四氟乙烯层的下表面，所述金属柱的下端部从所述树脂密封层中露出，所述树脂密封层还包裹每个所述引脚的一部分，且每个所述引脚的另一部分裸露于所述树脂密封层，所述树脂密封层的材料包括聚四氟乙烯10-20份；聚丙烯30-50份；聚对苯二甲酸乙二醇酯20-40份；聚碳酸酯10-30份；聚苯醚10-20份；顺丁橡胶5-10份；硅橡胶5-10份；异戊橡胶5-10份；2,4-二羟基二苯甲酮0.3-0.6份；癸二酸双-2,2,6,6-四甲基哌啶醇酯0.3-0.5份；亚磷酸三壬基苯酯0.5-1份；γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷1-2份；2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧基)己烷1-3份；2，5-二苯甲酰基过氧化-2，5-二甲基己烷0.1-0.5份；乙烯基三乙酰氧基硅烷0.2-0.4份；玻璃纤维1-5份；氮化硅粉末 1-3份，氧化铝粉末1-5份。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件封装模块的制造方法，其特征在于：所述聚四氟乙烯层的厚度为0.5-2毫米，所述聚丙烯层的厚度为0.3-0.9毫米，所述顺丁橡胶层的厚度为1-2毫米，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层的厚度为1-3毫米，所述硅橡胶层的厚度为0.5-1.5毫米，所述聚碳酸酯层的厚度为0.5-1.5毫米，所述异戊橡胶层的厚度为1-2毫米，所述聚苯醚层的厚度为1-2毫米。

3.根据权利要求1所述的半导体功率器件封装模块的制造方法，其特征在于：所述通孔的直径为2-5毫米，相邻所述通孔之间的间距为1-4毫米，所述金属柱的直径为2-5毫米。

4.根据权利要求3所述的半导体功率器件封装模块的制造方法，其特征在于：所述每个所述金属柱的所述凹槽的直径为1-3毫米，所述凹槽的深度为2-4毫米。

5.一种半导体功率器件封装模块，其特征在于，所述半导体功率器件封装模块采用权利要求1-4任一项所述的方法制备形成的。