[发明专利]一种法兰和半导体功率器件在审
| 申请号： | 201810618368.2 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109037161A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 袁昌发;曹梦逸;张宗民;谢荣华 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种法兰和一种半导体功率器件，其中，所述法兰包括法兰本体和嵌件，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述嵌件的热膨胀系数。有效提高了法兰结构的机械可靠性，改善了半导体功率器件、集成电路板中法兰结构和芯片之间的CTE失配问题。 | ||
| 搜索关键词： | 法兰本体 嵌件 半导体功率器件 法兰 热膨胀系数 法兰本体端面 机械可靠性 集成电路板 法兰结构 上端面 下端面 中法兰 失配 适配 嵌入 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种法兰，其特征在于，包括法兰本体和嵌件；其中，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面的形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述适配于所述法兰本体端面形状的嵌件的热膨胀系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810618368.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置封装
- 下一篇：一种集成电路封装的方法
