[发明专利]一种法兰和半导体功率器件在审

专利信息
申请号: 201810618368.2 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN109037161A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 袁昌发;曹梦逸;张宗民;谢荣华 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 法兰本体 嵌件 半导体功率器件 法兰 热膨胀系数 法兰本体端面 机械可靠性 集成电路板 法兰结构 上端面 下端面 中法兰 失配 适配 嵌入 芯片
【权利要求书】:

1.一种法兰,其特征在于,包括法兰本体和嵌件;

其中,所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面,并嵌绕于所述法兰本体的四周;其中,所述嵌件为适配于所述法兰本体端面的形状;所述法兰本体的热膨胀系数高于所述适配于所述法兰本体端面形状的嵌件的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的法兰,所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面,所述嵌件的表面和所述法兰本体的上端面位于同一平面上。

3.根据权利要求1所述的法兰,所述嵌件嵌入所述法兰本体的下端面,所述嵌件的表面和所述法兰本体的下端面位于同一平面上。

4.根据权利要求1-3所述的法兰,其特征在于,所述嵌件材料为钼,或者为钨,或者为铁镍。

5.一种法兰,其特征在于,包括法兰本体,上嵌件和下嵌件,其中,所述上嵌件嵌入所述法兰本体的上端面,所述下嵌件嵌入所述法兰本体的下端面,所述上嵌件和下嵌件均嵌绕于所述法兰本体的四周;其中,所述上嵌件适配于所述法兰本体上端面形状;所述下嵌件为适配于所述法兰本体下端面形状;所述法兰本体的热膨胀系数高于所述嵌件的热膨胀系数。

6.根据权利要求5所述的法兰,所述上嵌件的表面和所述法兰本体的上端面位于同一平面上;所述下嵌件的表面和所述法兰本体的下端面位于同一平面上。

7.一种半导体功率器件,其特征在于,包括:

如权利要求1至6任一项所述的法兰;

芯片,所述芯片放置在法兰本体的上端面;

隔离环,所述隔离环环绕放置于法兰上端面;

引脚,所述引脚放置在隔离环上用于与芯片通信连接。

8.根据权利要求7所述的半导体功率器件,其特征在于,其中所述隔离环为树脂材料或者树脂与玻璃纤维的混合材料。

9.一种半导体功率器件,其特征在于,包括:

一体化结构的法兰;

芯片,所述芯片放置在法兰本体的上端面;

隔离环,所述隔离环环绕放置于法兰上端面;

引脚,所述引脚放置在隔离环上用于与芯片通信连接;

其中所述隔离环为树脂材料或者树脂与玻璃纤维的混合材料。

10.一种集成电路板,其特征在于,包括印刷电路板、热沉以及如权利要求8-10任一项所述的半导体功率器件,其中:所述印刷电路板具有连接引脚以及法兰装配孔;所述半导体功率器件的引脚与所述连接引脚对应连接,所述半导体功率器件中的法兰与所述法兰装配孔装配连接;所述热沉与所述半导体功率器件中的法兰连接。

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