[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。将有源层设置为包括第一垒层与多个InGaN阱层，第一垒层中的多个包括GaN/InxGa1‑xN/AlzGa1‑zN/InyGa1‑yN/GaN超晶格结构的第一子垒层与InGaN阱层交替层叠设置。由于GaN/InxGa1‑xN/AlzGa1‑zN/InyGa1‑yN/GaN超晶格结构的能带较高，可起到阻挡电子进入P型GaN层，因此不需要设置电子阻挡层来阻挡电子流出有源层，这种设置能够限制电子离开有源层的同时提高进入有源层内的空穴数量，进而提高在有源层内与电子复合发光的空穴数量，并且也能够减小外延层中由于设置了电子阻挡层，带来的电子阻挡层与有源层以及P型层之间的极化情况，进而避免外延层中发光带隙的减小，增大电子与空穴的复合效率，进而增大发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，其特征在于，所述有源层包括第一垒层与多个阱层，所述第一垒层包括多个第一子垒层，所述第一子垒层与所述阱层交替层叠设置，所述阱层为InGaN阱层，所述第一子垒层包括GaN/InxGa1‑xN/AlzGa1‑zN/InyGa1‑yN/GaN超晶格结构，其中，0

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