[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
申请号: | 201810616928.0 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108807620B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 刘旺平;乔楠 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片,所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层,其特征在于,
所述有源层包括第一垒层与多个阱层,所述第一垒层包括多个第一子垒层,所述第一子垒层与所述阱层交替层叠设置,所述阱层为InGaN阱层,所述第一子垒层包括GaN/InxGa1-xN/AlzGa1-zN/InyGa1-yN/GaN超晶格结构,其中,0<x<0.08,0<y<0.07,0.05<z<0.35,
x>y且x与y的比值为3:1~5:1。
2.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,x与z的比值为0.15:1~0.4:1。
3.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,所述有源层还包括第二垒层,所述第二垒层包括两个GaN垒层,所述两个GaN垒层分别设置在所述第一垒层的两侧,所述两个GaN垒层与所述第一垒层之间设置有一层所述阱层。
4.根据权利要求3所述的外延片,其特征在于,所述GaN垒层的厚度与所述第一子垒层的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,所述第一子垒层的厚度为8~20nm。
6.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,所述第一子垒层的层数为3~13。
7.一种发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上生长低温GaN缓冲层;
在所述低温GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层;
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层;
在所述N型GaN层上生长有源层;
在所述有源层上生长P型GaN层,
其中,有源层包括第一垒层与多个阱层,所述第一垒层包括多个第一子垒层,所述第一子垒层与所述阱层交替层叠设置,所述阱层为InGaN阱层,所述第一子垒层包括GaN/InxGa1-xN/AlzGa1-zN/InyGa1-yN/GaN超晶格结构,其中,0<x<0.08,0<y<0.07,0.05<z<0.35,
x>y且x与y的比值为3:1~5:1。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述阱层的生长温度为720~830℃,所述第一子垒层的生长温度为850~959℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(浙江)有限公司,未经华灿光电(浙江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810616928.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。