[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810616928.0 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN108807620B 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 刘旺平;乔楠 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管外延片,所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层,其特征在于,

所述有源层包括第一垒层与多个阱层,所述第一垒层包括多个第一子垒层,所述第一子垒层与所述阱层交替层叠设置,所述阱层为InGaN阱层,所述第一子垒层包括GaN/InxGa1-xN/AlzGa1-zN/InyGa1-yN/GaN超晶格结构,其中,0<x<0.08,0<y<0.07,0.05<z<0.35,

x>y且x与y的比值为3:1~5:1。

2.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,x与z的比值为0.15:1~0.4:1。

3.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,所述有源层还包括第二垒层,所述第二垒层包括两个GaN垒层,所述两个GaN垒层分别设置在所述第一垒层的两侧,所述两个GaN垒层与所述第一垒层之间设置有一层所述阱层。

4.根据权利要求3所述的外延片,其特征在于,所述GaN垒层的厚度与所述第一子垒层的厚度相同。

5.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,所述第一子垒层的厚度为8~20nm。

6.根据权利要求1所述的外延片,其特征在于,所述第一子垒层的层数为3~13。

7.一种发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

提供一衬底;

在所述衬底上生长低温GaN缓冲层;

在所述低温GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层;

在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层;

在所述N型GaN层上生长有源层;

在所述有源层上生长P型GaN层,

其中,有源层包括第一垒层与多个阱层,所述第一垒层包括多个第一子垒层,所述第一子垒层与所述阱层交替层叠设置,所述阱层为InGaN阱层,所述第一子垒层包括GaN/InxGa1-xN/AlzGa1-zN/InyGa1-yN/GaN超晶格结构,其中,0<x<0.08,0<y<0.07,0.05<z<0.35,

x>y且x与y的比值为3:1~5:1。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述阱层的生长温度为720~830℃,所述第一子垒层的生长温度为850~959℃。

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