[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅薄膜的制作方法，通过在非晶硅薄膜层上沉积形成氮化硅材料的折射层并在该折射层表面形成多个凸形的或凹形的弧面结构，当采用准分子激光束照射非晶硅薄膜层使非晶硅薄膜层结晶形成低温多晶硅薄膜的制程中，准分子激光束通过折射层的弧面结构时会产生一定的散光效应或聚光效应，从而在非晶硅薄膜层上形成激光能量梯度，如此便可控制非晶硅薄膜层的结晶方向，增大晶粒尺寸，减少晶界数量，进而能够提高TFT器件载流子的迁移率，减小晶界对漏电流的影响。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成非晶硅薄膜层(30)；步骤S2、在所述非晶硅薄膜层(30)上沉积形成一折射层(40)，在该折射层(40)表面形成多个凸形的或凹形的弧面结构(401)；所述折射层(40)的材料为氮化硅；步骤S3、采用准分子激光束(90)从所述折射层(40)照射到非晶硅薄膜层(30)上，使所述非晶硅薄膜层(30)结晶形成低温多晶硅薄膜(39)，照射过程中所述准分子激光束(90)通过折射层(40)的弧面结构(401)时会产生散光效应或聚光效应。