[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成非晶硅薄膜层(30)；

步骤S2、在所述非晶硅薄膜层(30)上沉积形成一折射层(40)，在该折射层(40)表面形成多个凸形的或凹形的弧面结构(401)；所述折射层(40)的材料为氮化硅；

步骤S3、采用准分子激光束(90)从所述折射层(40)照射到非晶硅薄膜层(30)上，使所述非晶硅薄膜层(30)结晶形成低温多晶硅薄膜(39)，照射过程中所述准分子激光束(90)通过折射层(40)的弧面结构(401)时会产生散光效应或聚光效应。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中在折射层(40)表面形成多个弧面结构(401)的具体过程为：在所述折射层(40)上涂布光阻材料，并通过一道半透光光罩(70)对该光阻材料进行曝光显影处理，得到表面具有多个光阻弧面(801)的光阻层(80)；以所述光阻层(80)为遮蔽层，对所述折射层(40)进行蚀刻处理，对应所述多个光阻弧面(801)在所述折射层(40)的表面上形成多个弧面结构(401)，然后去除所述光阻层(80)。

3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成的光阻弧面(801)为凸形光阻弧面，在所述折射层(40)的表面上形成多个弧面结构(401)为凸形弧面结构。

4.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成的光阻弧面(801)为凹形光阻弧面，在所述折射层(40)的表面上形成多个弧面结构(401)为凹形弧面结构。

5.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中采用干蚀刻方式对所述折射层(40)进行蚀刻处理，对所述折射层(40)进行蚀刻处理的蚀刻气体包含氧气、六氟化硫、五氟乙烷及四氟化碳中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中对所述折射层(40)进行蚀刻处理的蚀刻气体为氧气和六氟化硫的组合。

7.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成的折射层(40)的厚度为在所述折射层(40)上涂布的光阻材料的厚度为2-3μm。

8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括在结晶形成低温多晶硅薄膜(39)之后，去除所述折射层(40)。

9.一种低温多晶硅薄膜(39)，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法制得。

10.一种低温多晶硅薄膜TFT基板，其特征在于，包括衬底基板(10)、形成于所述衬底基板(10)上的有源层(35)、覆盖所述有源层(35)的栅极绝缘层(50)、设于栅极绝缘层(50)上的栅极(60)、覆盖栅极(60)的层间绝缘层(70)及设于层间绝缘层(70)上的源漏极(75)；

所述有源层(35)由权利要求9所述的低温多晶硅薄膜(39)构成；

所述层间绝缘层(70)和栅极绝缘层(50)在对应于所述有源层(35)两端的上方设有过孔(55)，所述源漏极(75)通过所述过孔(55)与有源层(35)相接触。