[发明专利]一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810612006.2 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108912520B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 叶枫;张标;钟兆新;叶健;刘强;叶凯;高晔 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C08L25/06 | 分类号： | C08L25/06;C08L33/12;C08L27/16;C08K9/04;C08K9/06;C08K7/00;C08K3/38;C08K3/22 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人： | 闫冬;刘湘舟 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法，方法在于将陶瓷粉末进行表面氨基化，再将树脂微球进行表面磺化，将表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，保温、清洗后烘干，得到复合粉体，置于模具，热压成型，获得陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料，与现有技术比较，本发明将片状陶瓷粉体包覆在聚合物微球表面，形成具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体，通过成型过程中聚合物微球的熔化变形对片状复合粉体产生扭转力，实现复合材料中片状陶瓷粉体的取向分布，大幅度提高复合材料的介电常数，进而提高其介电储能密度，为小型化介电储能器件的发展提供材料和技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 取向 分布 聚合物 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：第一步，向氨基化溶液中加入具有二维片状形貌的陶瓷粉末，使所述陶瓷粉末表面氨基化；第二步，向聚合物微球中加入磺化试剂，使所述聚合物微球表面磺化；第三步，将第二步所述表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入第一步所述氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，经搅拌、清洗后烘干，得到具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体；第四步，将第四步所述复合粉体置于模具中，热压成型，脱模后得到陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810612006.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
