[发明专利]一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

第一步，向氨基化溶液中加入具有二维片状形貌的陶瓷粉末，使所述陶瓷粉末表面氨基化，所述陶瓷粉末为BaTiO₃片晶；所述氨基化溶液为壳聚糖溶液或3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液；

第二步，向聚合物微球中加入磺化试剂，使所述聚合物微球表面磺化，所述聚合物微球为聚苯乙烯微球、聚甲基丙烯酸甲酯微球或聚偏氟乙烯微球中的一种，所述聚合物微球的粒径为50-500μm；

第三步，将第二步所述表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入第一步所述氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，经搅拌、清洗后烘干，得到具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体；

第四步，将第四步所述复合粉体置于模具中，热压成型，脱模后得到陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料。

2.如权利要求1所述的陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，第一步所述陶瓷粉末与所述氨基化溶液的质量体积比为5:100g/ml至30:100g/ml。

3.如权利要求2所述的陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，第一步所述氨基化溶液的浓度为0.5wt％-2wt％。

4.如权利要求3所述的陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，第一步所述氨基化温度为50-90℃，时间为3-5h。

5.如权利要求1所述的陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，第二步所述聚合物微球与所述磺化试剂的质量比为1:3-1:15；所述磺化的温度为25-90℃，磺化的时间为2-6h。

6.如权利要求1所述的陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，第三步所述去离子水的体积为100-200ml。

7.如权利要求1所述的陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料的制备方法，其特征在于，第四步所述热压成型的工艺条件为，温度为120-200℃、压力为3-10MPa，时间为10-30min。

8.如权利要求1-7任一项所述的方法制备的一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料。