[发明专利]一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统有效
| 申请号： | 201810604592.6 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108847268B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘素吉;王伟;彭兴伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，引入用户可定义的阈值电压参数VTCC；步骤S2，定义阈值电压判断参数VTCCPR，将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数VTCCPR进行比较；步骤S3，根据比较结果判断出所需的存储单元状态，从而选取与该状态相应的模型参数值,本发明能够将存储单元的编程和擦除两种状态模型合二为一，简化原有的存储单元模型，使存储单元模型中编程与擦除两种状态的开启和转换更灵活简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 模型 阈值 电压 调节 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元模型的阈值电压调节方法，包括如下步骤：步骤S1，引入用户可定义的阈值电压参数VTCC；步骤S2，定义阈值电压判断参数VTCCPR，将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数VTCCPR进行比较；步骤S3，根据比较结果判断出所需的存储单元状态，从而选取与该状态相应的模型参数值。
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