[发明专利]一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统

说明书

本发明公开了一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，引入用户可定义的阈值电压参数VTCC；步骤S2，定义阈值电压判断参数VTCCPR，将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数VTCCPR进行比较；步骤S3，根据比较结果判断出所需的存储单元状态，从而选取与该状态相应的模型参数值,本发明能够将存储单元的编程和擦除两种状态模型合二为一，简化原有的存储单元模型，使存储单元模型中编程与擦除两种状态的开启和转换更灵活简单。

技术领域

本发明涉及存储单元技术领域，特别是涉及一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统。

背景技术

通常存储单元有编程(program)和擦除(erase)两种状态。现有的存储单元模型包括编程(program)状态模型和擦除(erase)状态模型这两部分，因此，一般在模型文件上以编程(program)状态模型和擦除(erase)状态模型这两个模型来区别这两种状态。这意味着一旦模型文件确定，阈值电压和其他模型参数值将固定不可调，那么，两种状态模型的开启和转换只能通过识别模型名称来实现，这将为设计者调用模型带来不便。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统，其能够将存储单元的编程(program)和擦除(erase)两种状态模型合二为一，简化原有的存储单元模型，使存储单元模型中编程(program)与擦除(erase)两种状态的开启和转换更灵活简单，为设计者调用模型提供了便利。

为达上述及其它目的，本发明提出一种存储单元模型的阈值电压调节方法，包括如下步骤：

步骤S1，引入用户可定义的阈值电压参数VTCC；

步骤S2，定义阈值电压判断参数VTCCPR，将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数VTCCPR进行比较；

步骤S3，根据比较结果判断出所需的存储单元状态，从而选取与该状态相应的模型参数值。

优选地，于步骤S3中，根据比较结果判断将开启存储单元模型的何种状态，从而根据输入的阈值电压调节存储单元模型的阈值电压，并自动选择与该状态相匹配的模型参数值，并根据状态判断结果调节存储单元模型的工艺角的范围，实现存储单元模型编程与擦除状态的开启和转换。

优选地，当输入的阈值电压VTCC大于阈值电压判断参数VTCCPR时，调节模型阈值电压为编程状态阈值电压，选取编程状态模型。

优选地，当输入的阈值电压VTCC小于等于阈值电压判断参数VTCCPR，则调节模型阈值电压为擦除状态阈值电压，选取擦除状态模型。

优选地，所述阈值电压参数VTCC为用户可在网表中输入的阈值电压参数，所述阈值电压判断参数VTCCPR为编程与擦除两种状态的阈值电压分界值。

为达到上述目的，本发明还提供一种存储单元模型的阈值电压调节系统，包括：

阈值电压参数引入单元，用于引入用户可定义的阈值电压参数VTCC；

比较单元，用于定义阈值电压判断参数VTCCPR，将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数VTCCPR进行比较；

调节单元，用于根据比较单元的比较结果判断出所需的存储单元状态，从而选取与该状态相应的模型参数值。

优选地，所述调节单元根据比较结果判断将开启存储单元模型的何种状态，从而根据输入的阈值电压调节存储单元模型的阈值电压，并自动选择与该状态相匹配的模型参数值，并根据状态判断结果调节存储单元模型的工艺角的范围，实现存储单元模型编程与擦除状态的开启和转换。

优选地，当输入的阈值电压VTCC大于阈值电压判断参数VTCCPR时，调节模型阈值电压为编程状态阈值电压，选取编程状态模型。