[发明专利]用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810602438.5 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN109087969A 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 谷津克也 申请(专利权)人: 东京应化工业株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/225
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;唐峥
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于提供一种用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法,所述制造方法通过在降低外部扩散的影响的同时、在相同温度下同时进行硼化合物向硅衬底的一侧的面的扩散和磷化合物向另一侧的面的扩散,从而能在短时间内高效率地制造用于太阳能电池元件的硅衬底。本发明的解决手段为:在2片硅衬底的各自的第1面上形成含有磷化合物的层、在作为第1面的背面的第2面上形成含有硼化合物的层,接下来,将2片硅衬底以含有磷化合物的层彼此或含有硼化合物的层彼此接触的方式进行配置,从而得到复合硅衬底,对得到的复合硅衬底进行加热,同时进行磷化合物向复合硅衬底中的硅衬底的第1面的扩散和硼化合物向复合硅衬底中的硅衬底的第2面的扩散。
搜索关键词: 硅衬底 磷化合物 硼化合物 复合硅 衬底 太阳能电池元件 扩散 制造 高效率 加热 配置 外部
【主权项】:
1.用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法,所述制造方法包括下述步骤:在2片硅衬底的各自的第1面上涂布包含磷化合物作为杂质扩散成分的第1杂质扩散剂组合物,从而形成含有磷化合物的层的步骤;在2片所述硅衬底的各自的作为所述第1面的背面的第2面上涂布包含硼化合物作为杂质扩散成分的第2杂质扩散剂组合物,从而形成含有硼化合物的层的步骤;将分别具备所述含有磷化合物的层和所述含有硼化合物的层的2片所述硅衬底,以所述含有磷化合物的层彼此或所述含有硼化合物的层彼此接触的方式进行配置,从而得到复合硅衬底的步骤;和通过对所述复合硅衬底进行加热,从而同时进行所述磷化合物向所述复合硅衬底中的所述硅衬底的所述第1面的扩散、和所述硼化合物向所述复合硅衬底中的所述硅衬底的所述第2面的扩散的步骤,所述制造方法中,所述含有磷化合物的层的形成和所述含有硼化合物的层的形成是任一方先进行的,或者是同时进行的。
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