[发明专利]用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法

权利要求书

1.用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法，所述制造方法包括下述步骤：

在2片硅衬底的各自的第1面上涂布包含磷化合物作为杂质扩散成分的第1杂质扩散剂组合物，从而形成含有磷化合物的层的步骤；

在2片所述硅衬底的各自的作为所述第1面的背面的第2面上涂布包含硼化合物作为杂质扩散成分的第2杂质扩散剂组合物，从而形成含有硼化合物的层的步骤；

将分别具备所述含有磷化合物的层和所述含有硼化合物的层的2片所述硅衬底，以所述含有磷化合物的层彼此或所述含有硼化合物的层彼此接触的方式进行配置，从而得到复合硅衬底的步骤；和

通过对所述复合硅衬底进行加热，从而同时进行所述磷化合物向所述复合硅衬底中的所述硅衬底的所述第1面的扩散、和所述硼化合物向所述复合硅衬底中的所述硅衬底的所述第2面的扩散的步骤，

所述制造方法中，所述含有磷化合物的层的形成和所述含有硼化合物的层的形成是任一方先进行的，或者是同时进行的。

2.如权利要求1所述的用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法，其中，于900℃以上1050℃以下进行所述复合硅衬底的加热。

3.如权利要求1或2所述的用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法，其中，将2片所述硅衬底以所述含有磷化合物的层彼此接触的方式进行配置，从而得到所述复合硅衬底。

4.如权利要求1或2所述的用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法，其中，所述第1杂质扩散剂组合物包含所述磷化合物和能通过水解而生成硅烷醇基的Si化合物的水解缩合物。

5.如权利要求1或2所述的用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法，其中，所述第2杂质扩散剂组合物包含所述硼化合物和多元醇化合物。

6.如权利要求1或2所述的用于太阳能电池元件的硅衬底的制造方法，其中，在将所述含有磷化合物的层彼此接触的多片所述复合硅衬底配置于相互分离的位置的状态下、或在将所述含有硼化合物的层彼此接触的多片所述硅衬底配置于相互分离的位置的状态下，对多片所述复合硅衬底进行加热，由此在多片所述复合硅衬底中同时进行所述磷化合物向所述第1面的扩散和所述硼化合物向所述第2面的扩散。