[发明专利]超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810600339.3 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108831927A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 许海东 | 申请（专利权）人： | 北京世港晟华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 100086 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括重掺杂衬底、外延层、深结、沟道区、栅氧区、栅极多晶硅、源极多晶硅、有源区、绝缘层、源极及漏极，其中，该栅极多晶硅覆设于所述栅氧区的边缘区域；该源极多晶硅覆设于所述栅氧区的中部区域，且所述源极多晶硅与所述栅极多晶硅之间具有间隔区域；该源极通过开设于所述绝缘层的接触孔与所述源极多晶硅接触。由此，本发明引入额外的漏极和源极电阻电容组合，并降低了漏极和栅极电容，能够抑制漏极和源极间电压的上升速率，并减小对栅极的反馈信号，从而有效缓解MOSFET器件的EMI特性。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 漏极 栅极多晶硅 多晶硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧 绝缘层 超结 多晶硅接触 源极间电压 边缘区域 电容组合 反馈信号 间隔区域 有效缓解 源极电阻 栅极电容 中部区域 沟道区 接触孔 外延层 重掺杂 晶体管 衬底 减小 源区 制造 引入 | ||
【主权项】：
1.一种超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：重掺杂衬底，具有第一导电类型；外延层，覆设于所述重掺杂衬底上，具有所述第一导电类型，且所述外延层的边缘区域开设有沟槽；深结，填充设置于所述沟槽，且具有第二导电类型；所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；沟道区，形成于所述深结的远离所述重掺杂衬底的端部区域、所述外延层的远离所述重掺杂衬底的端部区域的边缘部分、及部分的所述深结与所述外延层的邻接区域，且具有所述第二导电类型；栅氧区，覆设于所述外延层的远离所述重掺杂衬底的端部区域和部分的所述沟道区；栅极多晶硅，覆设于所述栅氧区的边缘区域；源极多晶硅，覆设于所述栅氧区的中部区域，且所述源极多晶硅与所述栅极多晶硅之间具有间隔区域；有源区，具有所述第一导电类型，形成于所述沟道区，且接触所述栅氧区设置；绝缘层，覆设于所述源极多晶硅、所述栅极多晶硅、所述间隔区域及部分的所述有源区；源极，覆设于所述有源区、所述绝缘层及所述沟道区上，且通过开设于所述绝缘层的接触孔与所述源极多晶硅接触；及漏极，覆设于所述重掺杂衬底上远离所述外延层的一侧。
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