[发明专利]在断态期间具有高应力顺应性的HEMT晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810597967.0 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN109037324B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;A·齐尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及在断态期间具有高应力顺应性的HEMT晶体管及其制造方法。HEMT包括缓冲层、缓冲层上的空穴供应层、空穴供应层上的异质结构、以及源极电极。空穴供应层由P型掺杂半导体材料制成，缓冲层掺杂有碳，并且源极电极与空穴供应层直接电接触，使得空穴供应层可以被偏置以促进空穴从空穴供应层到缓冲层的传输。 | ||
| 搜索关键词： | 期间 具有 应力 顺应性 hemt 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：半导体本体，所述半导体本体包括缓冲层、布置在所述缓冲层上的空穴供应层和布置在所述空穴供应层上的异质结构，以及源极电极，其中所述空穴供应层由P型掺杂的半导体材料制成，并且所述源极电极与所述空穴供应层直接电接触，并且所述源极电极被配置为偏置所述空穴供应层并且由此引起所述空穴供应层将空穴从所述空穴供应层传输到所述缓冲层。
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