[发明专利]一种单一芯片双信道保护组件的制造方法在审
| 申请号： | 201810597483.6 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110581057A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李运鹏;郭小红;陈智伟;黄传传 | 申请（专利权）人： | 江西萨瑞微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/78 |
| 代理公司： | 31288 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘君 |
| 地址： | 330114 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，包括如下步骤：(1)将一片硅晶圆作基底，基底为P型或N型，(2)将所述硅晶圆置入扩散炉或离子布植机中，掺杂一层N型或P型杂质，(3)之后将硅晶圆置入氧化炉中，加热氧化形成另一层氧化层，(4)再将所述硅晶圆置入扩散炉掺杂继续驱入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面，(6)通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案。本发明在原硅片扩散后，芯片正反面使用二套U型槽光刻板，蚀刻U型槽以形成有效的PN节，后经钝化技术保护PN节，划开切割道后形成双通道集成芯片，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 置入 扩散炉 切割道 基底 掺杂 蚀刻 离子布植机 正反面使用 保护组件 单一芯片 钝化技术 硅片扩散 基底表面 集成芯片 加热氧化 扩散区域 光刻板 双通道 双信道 微影术 氧化层 氧化炉 硅晶 光照 照射 芯片 图案 曝光 制造 | ||
【主权项】：
1.一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将一片硅晶圆作基底，基底为P型或N型，(2)将所述硅晶圆置入扩散炉或离子布植机中，掺杂一层N型或P型杂质，(3)之后将硅晶圆置入氧化炉中，加热氧化形成另一层氧化层，(4)再将所述硅晶圆置入扩散炉掺杂继续驱入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面，(6)通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案，(7)对切割道图案区域的氧化层进行蚀刻，形成蚀刻区，(8)对形成的蚀刻区的硅进行蚀刻形成切割道及双通道反偏区，(9)在基底正、反表面各热生长一层氧化层保护PN结，(10)以第二光罩照射基底表面，通过微影术曝光获得电极区域图案，对电极区域图案的氧化层进行蚀刻，形成电极区域，(10)在基底正、反面的电极区域镀上电极金属，将硅晶圆置入烧结炉使金属与基底键结，蚀刻硅晶圆表面的金属，并在基底正、反面的电极区域镀上电极金属，沿切割道将硅晶圆切成单一芯片，即成为单一芯片集成二颗双向瞬态抑制器形成的双通道保护元件，供封装之用。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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