[发明专利]一种单一芯片双信道保护组件的制造方法

说明书

本发明公开了一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，包括如下步骤：(1)将一片硅晶圆作基底，基底为P型或N型，(2)将所述硅晶圆置入扩散炉或离子布植机中，掺杂一层N型或P型杂质，(3)之后将硅晶圆置入氧化炉中，加热氧化形成另一层氧化层，(4)再将所述硅晶圆置入扩散炉掺杂继续驱入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面，(6)通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案。本发明在原硅片扩散后，芯片正反面使用二套U型槽光刻板，蚀刻U型槽以形成有效的PN节，后经钝化技术保护PN节，划开切割道后形成双通道集成芯片，成本低。

技术领域

本发明涉及一种制造方法，具体是一种单一芯片双信道保护组件的制造方法。

背景技术

芯片，又称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英语：integrated circuit，IC)。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

随着电子装置的微小化的提升，对其中所使用的电子元件的集成度的需求也随之提升。这特别应用于内存元件或扩展内存，其典型地由通过共用接触基板来电性接触的多个内存芯片所组成。

目前的单一芯片双信道保护组件大多采用二颗晶粒叠合的制做方法，芯片组件的生产也相应地复杂，包含了多个连续的方法步骤，这使得必须使用不同的工具来制造层叠布置，成本较高，而且良品率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，包括如下步骤：(1)将一片硅晶圆作基底，基底为P型或N型，(2)将所述硅晶圆置入扩散炉或离子布植机中，掺杂一层N型或P型杂质，(3)之后将硅晶圆置入氧化炉中，加热氧化形成另一层氧化层，(4)再将所述硅晶圆置入扩散炉掺杂继续驱入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面， (6)通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案，(7)对切割道图案区域的氧化层进行蚀刻，形成蚀刻区，(8)对形成的蚀刻区的硅进行蚀刻形成切割道及双通道反偏区，(9) 在基底正、反表面各热生长一层氧化层保护PN结，(10)以第二光罩照射基底表面，通过微影术曝光获得电极区域图案，对电极区域图案的氧化层进行蚀刻，形成电极区域，(10) 在基底正、反面的电极区域镀上电极金属，将硅晶圆置入烧结炉使金属与基底键结，蚀刻硅晶圆表面的金属，并在基底正、反面的电极区域镀上电极金属，沿切割道将硅晶圆切成单一芯片，即成为单一芯片集成二颗双向瞬态抑制器形成的双通道保护元件，供封装之用。

作为本发明进一步的方案：所述步骤(1)中基底为P型时，则所述步骤(2)中杂质为N型。

作为本发明再进一步的方案：所述步骤(1)中基底为N型时，则所述步骤(2)中杂质为P型。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明在原硅片扩散后，芯片正反面使用二套U型槽光刻板，蚀刻U型槽以形成有效的PN节，后经钝化技术保护PN节，划开切割道后形成双通道集成芯片，成本低。

附图说明

图1为本发明硅晶圆置入扩散炉或离子布植机后的结构示意图。

图2为本发明硅晶圆置入氧化炉中后的结构示意图。

图3为本发明蚀刻区域的硅进行蚀刻形成切割道的结构示意图。

图4为本发明区域图案的氧化层进行蚀刻形成电极区域的结构示意图。

图5为本发明沿切割道将硅晶圆切成单一芯片的结构示意图。

具体实施方式