[发明专利]半导体器件与其制作方法有效
| 申请号： | 201810596940.X | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108831926B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;李永亮;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;霍文娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：在衬底上设置至少一个具有凹槽的牺牲结构，牺牲结构包括沿远离衬底的方向上依次叠置设置的第一牺牲层和第二牺牲层；在凹槽中设置沟道材料，形成至少一个鳍；刻蚀去除第二牺牲层，使得鳍的部分侧壁和远离衬底的表面裸露；刻蚀去除鳍的部分，使得剩余的鳍包括沿远离衬底的方向上依次设置的牺牲部和鳍部，且牺牲部的部分和鳍部的部分在衬底的厚度方向上具有间隔；在至少牺牲部的裸露表面上设置绝缘材料，形成绝缘层，绝缘层至少充满牺牲部和鳍部之间的间隔。该制作方法制作得到电学性能较好的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上设置至少一个具有凹槽的牺牲结构，所述牺牲结构包括沿远离所述衬底的方向上依次叠置设置的第一牺牲层和第二牺牲层；在所述凹槽中设置沟道材料，形成至少一个鳍；刻蚀去除所述第二牺牲层，使得所述鳍的部分侧壁和远离所述衬底的表面裸露；刻蚀去除所述鳍的部分，使得剩余的所述鳍包括沿远离所述衬底的方向依次设置的牺牲部和鳍部，且所述牺牲部的部分和所述鳍部的部分在所述衬底的厚度方向上具有间隔；以及在至少所述牺牲部的裸露表面上设置绝缘材料，形成绝缘层，所述绝缘层至少充满所述牺牲部和所述鳍部之间的间隔。
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