[发明专利]电热薄膜层结构及制备方法有效
| 申请号： | 201810581800.5 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110577187B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陆鸣晔 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电热薄膜层结构及制备方法，所述制备方法包括：1）提供一衬底；2）在衬底上形成第一发热结构；3）在衬底上形成第二发热结构，第二发热结构与第一发热结构位于同一平面上，且与第一发热结构具有间距；第二发热结构与第一发热结构具有不同的电阻率。本发明所提供的电热薄膜层结构及制备方法，针对MEMS器件中不同电阻率电热薄膜层沉积的应用需求，使用晶圆级物理气相沉积技术，在晶圆同一层上制备具有不同电阻率的电热结构，有利于产品结构的整合，简化了器件的电热结构设计，减少了生产成本，增加了产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 电热 薄膜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：/n1)提供一衬底；/n2)在所述衬底上形成第一发热结构；/n3)在所述衬底上形成第二发热结构，所述第二发热结构与所述第一发热结构位于同一平面上，且与所述第一发热结构具有间距；所述第二发热结构与所述第一发热结构具有不同的电阻率。/n
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