[发明专利]电热薄膜层结构及制备方法

权利要求书

1.一种电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

1)提供一衬底，所述衬底包括已预制有半导体器件和电路结构的晶圆；

2)在所述衬底上形成第一发热结构；

3)在所述衬底上形成第二发热结构，所述第二发热结构与所述第一发热结构位于同一平面上，且与所述第一发热结构具有间距；所述第二发热结构与所述第一发热结构具有不同的电阻率；

其中，在步骤2)中，形成所述第一发热结构的步骤包括：

2-1)在所述衬底上形成第一电热薄膜层；

2-2)在所述第一电热薄膜层上形成第一图形化光刻胶层，所述第一图形化光刻胶层定义出所述第一发热结构的形状及位置；

2-3)依据所述第一图形化光刻胶层刻蚀所述第一电热薄膜层，以形成所述第一发热结构；

在步骤3)中，形成所述第二发热结构的步骤包括：

3-1)在上一步骤所得结构的表面形成第二电热薄膜层；

3-2)在所述第二电热薄膜层上形成第三图形化光刻胶层，所述第三图形化光刻胶层定义出所述第二发热结构的形状及位置；

3-3)依据所述第三图形化光刻胶层刻蚀所述第二电热薄膜层，以形成所述第二发热结构。

2.根据权利要求1所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，在步骤2)与步骤3)之间还包含以下步骤：

在步骤2)所得结构的表面形成牺牲介质层，所述牺牲介质层覆盖所述第一发热结构的上表面、侧壁及所述衬底的表面；

在所述牺牲介质层上形成第二图形化光刻胶层，所述第二图形化光刻胶层定义出后续形成的保护层的形状及位置；

依据所述第二图形化光刻胶层刻蚀所述牺牲介质层，以形成所述保护层，所述保护层包覆所述第一发热结构。

3.根据权利要求2所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲介质层包括二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，所述第一电热薄膜层和所述第二电热薄膜层包括氮化钽铝电热薄膜。

5.根据权利要求1所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，步骤2-1)中，使用物理气相沉积法工艺形成所述第一电热薄膜层；步骤3-1)中，使用物理气相沉积工艺形成所述第二电热薄膜层。

6.根据权利要求5所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，步骤2-1)中形成所述第一电热薄膜层的沉积功率与步骤3-1)中形成所述第二电热薄膜层的沉积功率不同，以使得所述第一电热薄膜层和所述第二电热薄膜层具有不同的电阻率。

7.根据权利要求5所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，使用所述物理气相沉积制备所述第一电热薄膜层和所述第二电热薄膜层的过程中，使用的工艺气体包括反应气体和惰性气体。

8.根据权利要求7所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，所述反应气体包括氮气，所述惰性气体包括氩气。

9.根据权利要求7所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，步骤2-1)中所述反应气体与所述惰性气体的比例和步骤3-1)中所述反应气体与所述惰性气体的比例不同，以使得所述第一电热薄膜层和所述第二电热薄膜层具有不同的电阻率。

10.根据权利要求7所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，步骤2-1)中形成所述第一电热薄膜层的沉积功率与步骤3-1)中形成所述第二电热薄膜层的沉积功率不同，且步骤2-1)中所述反应气体与所述惰性气体的比例和步骤3-1)中所述反应气体与所述惰性气体的比例不同，以使得所述第一电热薄膜层和所述第二电热薄膜层具有不同的电阻率。

11.根据权利要求5所述的电热薄膜层结构的制造方法，其特征在于，使用所述物理气相沉积制备所述第一电热薄膜层和所述第二电热薄膜层的过程中，使用的靶材包含金属钽和金属铝制成的合金靶材。