[发明专利]一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810576808.2 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108822449A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘一志;孙毅;曾凡林 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08L83/04;C08J5/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 贾泽纯 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法和应用，本发明属于高相容性、抗原子氧冲刷、高疏水性和压电高分子杂化复合材料技术领域。本发明要解决现有聚偏氟乙烯易被原子氧腐蚀的技术问题。一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜，按照质量百分比计，含有聚偏氟乙烯共聚物92～98％，多面低聚倍半硅氧烷2～8％。方法：一、将P(VDF‑TrFE)和多面低聚倍半硅氧烷溶于有机溶剂中；二、制备预制液；三、引流倒入培养皿中，静置，干燥。本方法简单易行，既保持基质的压电性能，而且还能显著提高原基质材料的模量和硬度，增强疏水性能和抗原子氧侵蚀性能，使复合材料的性能得到了较全面的改善，从而能够更好地满足部分特殊领域的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 聚偏氟乙烯共聚物 杂化 复合膜 多面低聚倍半硅氧烷 制备方法和应用 抗原子氧 培养皿 复合材料技术 聚偏氟乙烯 压电高分子 质量百分比 引流 高相容性 基质材料 疏水性能 压电性能 有机溶剂 复合材料 疏水性 预制液 原子氧 冲刷 基质 易被 制备 腐蚀 侵蚀 | ||
【主权项】：
1.一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜，其特征在于该纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜按照质量百分比计，含有聚偏氟乙烯共聚物P(VDF‑TrFE)92～98％，多面低聚倍半硅氧烷2～8％。
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