[发明专利]一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜，其特征在于该纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜按照质量百分比计，含有聚偏氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)92～98％，多面低聚倍半硅氧烷2～8％。

2.根据权利要求1所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜，其特征在于该纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜按照质量百分比计，含有聚偏氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)95～97％，多面低聚倍半硅氧烷3～5％。

3.根据权利要求1所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜，其特征在于所述多面低聚倍半硅氧烷是官能团基为氟化丙基的多面低聚倍半硅氧烷。

4.如权利要求1所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的制备方法，其特征在于该方法具体按以下步骤进行：

一、将P(VDF-TrFE)和多面低聚倍半硅氧烷溶于有机溶剂中，配制成混合均匀的混合溶液；

二、将步骤一制得的混合溶液在避光、室温的条件下依次进行搅拌、静置和超声脱泡处理，并重复多次，然后放入真空搅拌机中，避光室温真空脱泡搅拌1～1.5小时，消除气泡，得到预制液；

三、将步骤二制备的预制液引流倒入培养皿中，静置8～12min，然后放入恒温干燥箱中恒温烘干，得到质地均匀的所述纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜。

5.根据权利要求4所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的制备方法，其特征在于步骤一中有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺，得到混合溶液的质量百分比浓度为20％。

6.根据权利要求4所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述搅拌、静置和超声脱泡的处理过程，具体为：搅拌0.5～1.5小时，静置5～8分钟，超声脱气泡8～12分钟，再搅拌8～12分钟，并如此重复3～4次，上述过程完成后，放入真空搅拌机中，避光室温真空脱泡搅拌1小时，搅拌的频率为70～90转/分钟。

7.根据权利要求4所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的制备方法，其特征在于步骤三中恒温烘干工艺为80℃恒温烘干1小时后，升温到140℃恒温烘干2小时。

8.根据权利要求4所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的制备方法，其特征在于步骤三中得到质地均匀的所述纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的厚度为70～140微米。

9.一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的应用，其特征在于一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜用于制备具有压电性纳米复合材料薄膜；具体制备方法按以下步骤进行：将权利要求1所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜表面喷涂导电金属，加热到80℃，加电压，控制电场强度为40～120MV/m，极化2小时，然后温度降至室温，并保持电场作用0.5～1小时，去除电场，得到具有压电性纳米复合材料薄膜。

10.根据权利要求9所述的一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜的应用，其特征在于所述具有压电性纳米复合材料薄膜作为高强度疏水压电材料应用于制造高寿命抗冲刷高强度的航天材料。