[发明专利]一种空心纳米球阵列传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810573330.8 申请日: 2018-06-06
公开(公告)号: CN109060897B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 邵绍峰;车雷声;黄申备;陈鑫 申请(专利权)人: 南京信息工程大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 戴朝荣
地址: 210019 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种空心纳米球阵列传感器的制备方法,包括如下步骤:(a)衬底基材预处理;(b)光刻蚀法对预处理的硅衬底进行加工;(c)正丙醇中清洗、通氮气干燥;(d)选取Ti作为附着层,Au作为检测电极,采用辉光真空镀膜方法对干燥后的样品进行检测电极沉积;(e)通过剥离技术去除步样品表面残余的光刻胶;(f)制备溶胶溶液,对干燥后的样品衬底进行旋涂制膜;(g)对样品先进行后置热蒸水热处理,然后通氮气保护进行焙烧,制备传感材料与器件一体的气体传感器。本发明把握有害气体分子(SO2)检测技术与应用技术创新的平衡点,实现材料制备与器件集成相统一,提升传感器对SO2的特征识别能力以及对响应信号的快速提取和增强能力。
搜索关键词: 一种 空心 纳米 阵列 传感器 制备 方法
【主权项】:
1.一种空心纳米球阵列传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a) 衬底基材预处理:将硅衬底放入丙酮和异丙醇中进行超声清洗,然后用氮气吹扫表面,并对其进行热处理,清洗时间5‑10min;(b) 通过光刻蚀法对步骤(a)中预处理的硅衬底进行加工,制备样品衬底;(c) 将步骤(b)制成的样品放入正丙醇中清洗、通氮气干燥;(d) 选取Ti作为附着层,Au作为检测电极,采用辉光真空镀膜方法对步骤(c)干燥后的样品进行检测电极沉积,制备多层Ti/Au检测电极结构;(e) 通过剥离技术去除步骤(d)样品表面残余的光刻胶,然后用丙酮和异丙醇清洗、通氮气干燥;(f) 制备溶胶溶液,对步骤(e)中干燥后的样品衬底进行旋涂制膜,控制转速为3000‑5000rpm;(g) 对步骤(f)中制得的样品先进行后置热蒸水热处理,然后通氮气保护进行焙烧,制备传感材料与器件一体的气体传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京信息工程大学,未经南京信息工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810573330.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top