[发明专利]一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管有效
| 申请号： | 201810563462.2 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108767007B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;邓操;刘超;魏东;高吴昊;左慧玲;夏云 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径，使电流绕过阴极左侧电流集中区，以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的电流上升率耐量。本发明的有益效果为，提供了一种挖槽埋氧阻挡层的光控晶闸管器件设计，解决了常规光控晶闸管器件因主阴极左侧电流集中而引起的失效、不能适用于脉冲功率应用领域的问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用功率半导体器件制作工艺，为生产提供了有利条件。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 挖槽埋氧 电流 阻挡 光控 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阳极(1)、阳极P+区(2)、N漂移区(3)和P基区(4)；所述P基区(4)上层两端分别具有N+光栅区(5)和N+阴极区(7)，在N+光栅区(5)和N+阴极区(7)之间的P基区(4)上层还具有N+放大区(6)；所述P基区(4)上表面具有光栅浮空电极(8)、放大栅浮空电极(9)和阴极(10)，所述光栅浮空电极(8)位于N+光栅区(5)靠近N+放大区(6)的一端，并沿P基区(4)上表面向N+放大区(6)方向延伸；所述放大栅浮空电极(9)位于N+放大区(6)上表面，并沿P基区(4)上表面向N+阴极区(7)方向延伸；所述阴极(10)位于N+阴极区(7)上表面，并沿P基区(4)上表面延伸至器件端部；其特征在于，所述P基区(4)的上层还具有挖槽埋氧阻挡层(11)，所述挖槽埋氧阻挡层(11)位于放大栅浮空电极(9)和阴极(10)之间，且挖槽埋氧阻挡层(11)与阴极(10)之间的距离为0～2μm。
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