[发明专利]一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管有效
| 申请号： | 201810563462.2 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108767007B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;邓操;刘超;魏东;高吴昊;左慧玲;夏云 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 挖槽埋氧 电流 阻挡 光控 晶闸管 | ||
1.一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阳极(1)、阳极P+区(2)、N漂移区(3)和P基区(4)；所述P基区(4)上层两端分别具有N+光栅区(5)和N+阴极区(7)，在N+光栅区(5)和N+阴极区(7)之间的P基区(4)上层还具有N+放大区(6)；所述P基区(4)上表面具有光栅浮空电极(8)、放大栅浮空电极(9)和阴极(10)，所述光栅浮空电极(8)位于N+光栅区(5)靠近N+放大区(6)的一端，并沿P基区(4)上表面向N+放大区(6)方向延伸；所述放大栅浮空电极(9)位于N+放大区(6)上表面，并沿P基区(4)上表面向N+阴极区(7)方向延伸；所述阴极(10)位于N+阴极区(7)上表面，并沿P基区(4)上表面延伸至器件端部；
其特征在于，所述P基区(4)的上层还具有挖槽埋氧阻挡层(11)，所述挖槽埋氧阻挡层(11)位于放大栅浮空电极(9)和阴极(10)之间，且挖槽埋氧阻挡层(11)与阴极(10)之间的距离为0～2μm；所述挖槽埋氧阻挡层(11)用于通过阻挡横向和纵向流过阴极左边缘的电流流通来改变电流的流通路径，使电流朝着阴极右侧区域分散开。
2.根据权利要求1所述的一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管，其特征在于，所述挖槽埋氧阻挡层(11)沿P基区(4)上表面垂直向下延伸的深度为6～12μm，挖槽埋氧阻挡层(11)的宽度为5～50μm。
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