[发明专利]电阻式随机存取存储器（RRAM）单元及其形成方法有效
| 申请号： | 201810563156.9 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN109390466B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 曾元泰;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的各种实施例涉及包括具有凹进的底部电极侧壁的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路及其形成方法，以减轻侧壁等离子体损伤的影响。在一些实施例中，RRAM单元包括下电极、数据存储元件和上电极。下电极包括分别在下电极的相对侧上的一对凹陷的底部电极侧壁。数据存储元件覆盖下电极并且包括一对存储侧壁。存储侧壁分别位于下电极的相对侧上，并且凹陷的底部电极侧壁与存储侧壁横向间隔开并且横向地位于存储侧壁之间。上电极覆盖数据存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 rram 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括存储器单元的集成电路，其中，所述存储器单元包括：下电极，包括一对电极侧壁，其中，所述电极侧壁分别位于所述下电极的相对两侧上；数据存储元件，覆盖所述下电极并且包括一对存储侧壁，其中，所述存储侧壁分别位于所述下电极的相对两侧上，并且，所述电极侧壁与所述存储侧壁横向间隔开并且横向地位于所述存储侧壁之间；以及上电极，覆盖所述数据存储元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810563156.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路和形成集成电路的方法
- 下一篇：电容器结构及包括其的半导体器件
