[发明专利]一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法

摘要

本发明公开了一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法，在传统金属有机物化学气相沉积技术的基础上，进一步引入高能量密度的连续激光，可降低化学反应活化势垒，加快反应速率，并同时保证沉积区域辐射场均匀稳定分布，因此制备的薄膜结构连续均匀，面内排布有序；本发明通过对激光功率和加载时间的简单调控，可实现钕钡铜氧薄膜取向结构的可控调节，尤其可制备得到具有沿厚度方向a,c轴取向混合结构的钕钡铜氧薄膜，为含有两种取向结构复合薄膜的制备提供了一条全新思路，具有重要的研究和推广意义。

主权项

1.一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法，它包括以下步骤：1)将基板放入反应器中位于加热体上方的石墨基板座上，抽真空并将加热体温度升至500～1100℃；2)将含气体原料的载流气与反应气通入反应器，调节反应器的压强至200～1000Pa；3)加载激光照射基板表面，移动透镜位置调节激光光斑大小以适应基板尺寸，并设置激光功率，加载连续激光；4)停止通入含有气体原料的载流气与反应气，关闭激光和反应器内的加热系统，抽真空，冷却至室温，即得到目标生长取向薄膜。