[发明专利]一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法

权利要求书

1.一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法，它包括以下步骤：

1）将基板放入反应器中位于加热体上方的石墨基板座上，抽真空并将加热体温度升至500～1100^oC；

2）将含气体原料的载流气与反应气通入反应器，调节反应器的压强至200～1000Pa；

3）加载激光照射基板表面，移动透镜位置调节激光光斑大小以适应基板尺寸，并设置激光功率，加载连续激光；

4）停止通入含有气体原料的载流气与反应气，关闭激光和反应器内的加热系统，抽真空，冷却至室温，即得到目标生长取向薄膜；

当激光发生器功率为75～80W，加载激光时间为1～10min时，得a轴取向钕钡铜氧薄膜；当激光发生器功率为85～92W，加载激光时间为5～10min时，得a, c轴取向混合结构的钕钡铜氧薄膜；激光发生器功率为96～110W，加载激光时间为1～10min时，得c轴取向钕钡铜氧薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中所述基板是（100）取向的铝酸镧、钛酸锶或氧化镁的单晶基板，单面抛光，并经过预处理表面洁净。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中所述真空条件为30Pa以下。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述气体原料包括有机钕源、有机钡源和有机铜源。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机钕源为三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钕；有机钡源由双(2,2,6,6-四甲基-3,5-辛酮酸)钡与双（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）钡以1:4~5的摩尔比混合而成；有机铜源为双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载流气为惰性气体，选自氩气或氮气。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机钕源与有机铜源的流量分别为30~150sccm；有机钡源的流量为45~230sccm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气为氧化性气体，选自氧气或一氧化二氮；流量为50~500sccm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3）中，激光发生器为连续激光发生器，发射连续激光，激光波长范围为800～1100nm，激光加载时间为1～15min；激光功率范围为7～205W。