[发明专利]一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法在审
| 申请号： | 201810560533.3 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108754443A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，将衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，以陶瓷ZnO靶为基材，通入Ar和N2在衬底表面进行N掺杂ZnO薄膜的制备；S3、将得到的N掺杂ZnO薄膜置于退火炉中，以N2为保护气氛，在1000℃的温度下退火3小时；S4、持续向退火炉通入N2，使N掺杂ZnO薄膜随炉冷却至室温；高温退火可以提高薄膜的结晶质量；在N2的保护气氛中退火可以使薄膜中的N离子或ZnO中的错位粒子迁移到合适的位置，另一方面由于N2的作用，也可进一步提高薄膜中的N含量，得到荧光特性增强的ZnO薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光特性 薄膜 退火 磁控溅射设备 衬底表面 退火炉 衬底 高温退火 粒子迁移 随炉冷却 真空腔 油污 基材 去除 制备 清洗 错位 陶瓷 室内 | ||
【主权项】：
1.一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，将衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，以陶瓷ZnO靶为基材，通入Ar和N2在衬底表面进行N掺杂ZnO薄膜的制备；S3、将得到的N掺杂ZnO薄膜置于退火炉中，以N2为保护气氛，在1000℃的温度下退火3小时；S4、持续向退火炉通入N2，使N掺杂ZnO薄膜随炉冷却至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，未经中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810560533.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
