[发明专利]一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法在审
| 申请号： | 201810560533.3 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108754443A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光特性 薄膜 退火 磁控溅射设备 衬底表面 退火炉 衬底 高温退火 粒子迁移 随炉冷却 真空腔 油污 基材 去除 制备 清洗 错位 陶瓷 室内 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质；
S2、采用磁控溅射设备，将衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，以陶瓷ZnO靶为基材，通入Ar和N2在衬底表面进行N掺杂ZnO薄膜的制备；
S3、将得到的N掺杂ZnO薄膜置于退火炉中，以N2为保护气氛，在1000℃的温度下退火3小时；
S4、持续向退火炉通入N2，使N掺杂ZnO薄膜随炉冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底或金属衬底。
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