[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃在审

专利信息
申请号: 201810560528.2 申请日: 2018-06-04
公开(公告)号: CN108767020A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 彭寿;姚婷婷;杨勇;李刚;金克武;汤永康;王天齐;彭塞奥;沈洪雪;甘治平;马立云 申请(专利权)人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/054;C03C17/36
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 陈俊
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃,包括玻璃基底,玻璃基底表面由下至上依次层叠有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜与第三AZO薄膜;第一AZO薄膜的厚度为100~120nm,第一AZO薄膜中Al2O3的含量为0.36~1.21 at%;第二AZO薄膜的厚度为100~120nm,第二AZO薄膜中Al2O3的含量为1.20~2.16at%;Ag薄膜的厚度为20nm;第三AZO薄膜的厚度为400~450nm,第三AZO薄膜中Al2O3的含量为2.16~3.01at%;本发明的导电玻璃透过率高、具有较高的雾度及电学性能,同时具有陷光功能。
搜索关键词: 硅基薄膜太阳能电池 透明导电玻璃 陷光 薄膜 玻璃基底表面 导电玻璃 电学性能 陷光功能 依次层叠 玻璃基 透过率 雾度
【主权项】:
1.一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃,其特征在于,包括玻璃基底,玻璃基底表面由下至上依次层叠有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜与第三AZO薄膜;所述玻璃基底为表面羟基化的硅酸盐玻璃;所述第一AZO薄膜的厚度为100~120nm,第一AZO薄膜中Al2O3的含量为0.36~1.21 at%;所述第二AZO薄膜的厚度为100~120nm,第二AZO薄膜中Al2O3的含量为1.20~2.16at%;所述Ag薄膜的厚度为20nm;所述第三AZO薄膜的厚度为400~450nm,第三AZO薄膜中Al2O3的含量为2.16~3.01at%。
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