[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃

说明书

本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底表面由下至上依次层叠有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜与第三AZO薄膜；第一AZO薄膜的厚度为100～120nm，第一AZO薄膜中Al₂O₃的含量为0.36～1.21 at%；第二AZO薄膜的厚度为100～120nm，第二AZO薄膜中Al₂O₃的含量为1.20～2.16at%；Ag薄膜的厚度为20nm；第三AZO薄膜的厚度为400～450nm，第三AZO薄膜中Al₂O₃的含量为2.16～3.01at%；本发明的导电玻璃透过率高、具有较高的雾度及电学性能，同时具有陷光功能。

技术领域

本发明涉及玻璃制备技术领域，具体是一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃。

背景技术

近年来，氧化锌(ZnO)基的透明导电薄膜吸引了很多的注意力。典型的用途包括，柔性电子产品、硅基薄膜太阳能电池、平板显示等。提高ZnO导电性的掺杂元素有许多，但掺铝的是最有前途的之一。

AZO薄膜是一种透明导电薄膜，在适当的掺杂浓度下，表现出良好的透明导电特性，但目前仅仅采用一种掺杂浓度的靶材来制备得到的AZO单层膜，并且需要加热才能制备出较好光电性能的AZO薄膜，影响薄膜的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃，该玻璃透过率高、具有较高的雾度及电学性能，同时具有陷光功能。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底表面由下至上依次层叠有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜与第三AZO薄膜；

所述玻璃基底为表面羟基化的硅酸盐玻璃；

所述第一AZO薄膜的厚度为100～120nm，第一AZO薄膜中Al₂O₃的含量为0.36～1.21at%；

所述第二AZO薄膜的厚度为100～120nm，第二AZO薄膜中Al₂O₃的含量为1.20～2.16at%；

所述Ag薄膜的厚度为20nm；

所述第三AZO薄膜的厚度为400～450nm，第三AZO薄膜中Al₂O₃的含量为2.16～3.01at%。

本发明的有益效果是:AZO是一种亚稳态材料，化学配比的要求比较严格，Al原子有效地取代晶格中Zn可以表示为：Al₂O₃+ 2Zn²⁺→2Al³⁺ + 2ZnO+ 1/2O₂+ 2e，即ZnO晶格中每有一个Zn被Al取代，就可以提供一个自由电子；进入晶格取代Zn的Al越多，提供的电子数也就越多，薄膜导电性越好；因此本发明玻璃基底上的各个AZO薄膜由下至上的Al掺杂浓度逐渐增加，使得电子数增多；同时，低浓度的Al掺杂，得到薄膜晶粒较大，逐渐增加Al掺杂浓度，组成薄膜的晶粒逐渐减小，下层可以提供驱动力帮助上层小晶粒依托大晶粒生长，适中的势垒动力使薄膜逐渐生成大晶粒，得到的硅基薄膜太阳能电池用陷光玻璃结晶质量好，表面具有一定起伏，可起到陷光作用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明实施例二的表面形貌图。

具体实施方式

实施例一