[发明专利]半导体制造方法及半导体结构

摘要

本发明提供一种在三维存储器件中的台阶区形成接触孔的接触孔形成方法及使用了该方法的三维存储器件。该接触孔形成方法包括：形成具有包括第一台阶区和第二台阶区且由至少一个介质层和至少一个导电层交替堆叠而成的台阶区的半导体结构的步骤；形成第一台阶区接触孔及第二台阶区接触孔，直至第一台阶区接触孔与第一台阶层的导电层相接触的步骤；以及在第一台阶区接触孔的侧壁及底面形成保护层的步骤；消耗保护层，并使第二台阶区接触孔与第二台阶区的导电层相接触的步骤。

主权项

1.一种接触孔形成方法，用于形成三维存储器件中台阶区的接触孔，其特征在于，包括下述工序：半导体结构形成工序，该半导体结构具有台阶区，所述台阶区包括第一台阶区和位于所述第一台阶区下方的第二台阶区，所述第一台阶区和所述第二台阶区均包含多个台阶结构，所述台阶结构由至少一个介质层和至少一个导电层交替堆叠而成；接触孔第一形成工序，在所述第一台阶区及所述第二台阶区上，形成与所述第一台阶区的导电层对应的第一台阶区接触孔及与所述第二台阶区的导电层对应的第二台阶区接触孔，其中，所述第一台阶区接触孔与其对应的第一台阶区的导电层接触或者位于其对应的第一台阶区的导电层上方；保护层形成工序，在所述第一台阶区接触孔的侧壁及底面形成保护层；以及接触孔第二形成工序，使所述第二台阶区接触孔与其对应的第二台阶区的导电层接触，或者在使所述第二台阶区接触孔与其对应的第二台阶区的导电层接触的同时，使所述第一台阶区接触孔与其对应的第一台阶区的导电层接触。