[发明专利]一种单相陶瓷靶材及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201810556388.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108793993B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 贾婷婷;刘聪;姚竣翔;樊子冉;程振祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/04;C04B35/057;C04B35/26;C04B35/453;C04B35/622;C04B35/46;C04B35/48;C04B35/01;C04B35/64;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单相陶瓷靶材的制备方法，包括：称取原料加入有机溶剂中进行球磨混匀后，再进行煅烧后过筛；将过筛后的粉体，压制成胚体，并对该胚体进行预烧结；进行预烧结后胚体研碎和加入有机溶剂中进行球磨混匀后将所得粉体再压制成胚体并预烧结的过程一次或多次；将所得胚体于1023‑1173K温度下进行成型烧结。本发明所提供的制备方法，研磨、煅烧和烧结所需时间短，操作温度低，烧结过程中无需添加烧结助剂。整个方法对设备要求低，制备效率高，有利于节约能源和降低成本。本发明还公开了一种单相陶瓷靶材及其在电子器件中的用途，制备出的陶瓷靶材均匀致密，在低温和室温下均具有铁磁性，所述单相陶瓷靶材可用于制备电子器件中的薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单相 陶瓷 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种单相陶瓷靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：称取原料加入有机溶剂中进行球磨混匀后，再进行煅烧后过筛；将过筛后的粉体，压制成胚体，并对该胚体进行预烧结；进行预烧结后胚体研碎和加入有机溶剂中球磨混匀后将所得粉体再压制成胚体并预烧结的过程一次或多次；将所得胚体于1023‑1173K温度下进行成型烧结，其中，所述原料为Bi2O3、RO2、Fe2O3、MgO和MCO3，其中，R为Ti，Zr或Hf；M为Ca或Ba。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院，未经中国科学院深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810556388.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
