[发明专利]一种单相陶瓷靶材及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201810556388.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108793993B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 贾婷婷;刘聪;姚竣翔;樊子冉;程振祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/04;C04B35/057;C04B35/26;C04B35/453;C04B35/622;C04B35/46;C04B35/48;C04B35/01;C04B35/64;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单相 陶瓷 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种单相陶瓷靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
称取原料加入有机溶剂中进行球磨混匀后，再进行煅烧后过筛；进行所述球磨的时间为30-60min；进行所述煅烧的温度为650-1023K，时间为2-4h；
将过筛后的粉体，压制成胚体，并对该胚体进行预烧结；
将进行预烧结后的胚体研碎并加入有机溶剂中球磨混匀后获得粉体，将所得粉体再压制成胚体并预烧结；其中，将预烧结后的胚体研碎并球磨形成粉体再压制成胚体并预烧结的过程为一次或多次，所述预烧结的烧结温度为823-923K，烧结时间为2-4h；
将所得胚体于1023-1173K温度下进行成型烧结，
其中，所述原料为Bi2O3、RO2、Fe2O3、MgO和MCO3，其中，R为Ti，Zr或Hf；M为Ca或Ba；
其中，所述制备方法中不使用烧结助剂。
2.根据权利要求1所述单相陶瓷靶材的制备方法，其中，所述R为Ti，所述M为Ca。
3.根据权利要求1所述单相陶瓷靶材的制备方法，其中，使用制胚设备于10-200MP a的压力下进行胚体压制。
4.根据权利要求1所述单相陶瓷靶材的制备方法，其中，将预烧结后的胚体研碎并球磨形成粉体再压制成胚体并预烧结的过程为一次至三次。
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