[发明专利]增强型CMOS传感器发光二极管单元结构

摘要

本发明公开了一种增强型CMOS传感器发光二极管单元结构，包括一P型基底，P型基底的上表面开设有一倒圆锥型槽；一N型掺杂层，形成在倒圆锥型槽的表面；一P型掺杂层，形成在N型掺杂层的表面，P型掺杂层的上端面与N型掺杂层的上端面以及P型基底的上表面平齐；一氮化层，形成在P型掺杂层的表面以及形成在相互平齐的P型掺杂层上端面、N型掺杂层上端面、和P型基底上表面的表面，并构成倒圆锥型部分和倒圆锥型部分上端外围的平面部分；一氧化层，形成在氮化层的倒圆锥型部分和平面部分的表面；二金属电极，其中一金属电极与N型掺杂层接触，另一金属电极与P型掺杂层接触。本发明能够增强量子转换效率，降低成本。

主权项

1.一种增强型CMOS传感器发光二极管单元结构，包括：一P型基底，所述P型基底的上表面开设有一倒圆锥型槽；一N型掺杂层，沿着倒圆锥型槽的轮廓形成在倒圆锥型槽的表面；一P型掺杂层，沿着倒圆锥型的N型掺杂层的轮廓形成在N型掺杂层的表面，P型掺杂层的上端面与N型掺杂层的上端面以及P型基底的上表面平齐；一氮化层，沿着倒圆锥型的P型掺杂层的轮廓形成在P型掺杂层的表面以及形成在相互平齐的P型掺杂层上端面、N型掺杂层上端面、和P型基底上表面的表面，并构成倒圆锥型部分和倒圆锥型部分上端外围的平面部分；一氧化层，形成在氮化层的倒圆锥型部分和平面部分的表面，并且氮化层的倒圆锥型部分的表面的氧化层和氮化层的平面部分的表面的氧化层的上表面平齐；二金属电极，其中一金属电极与N型掺杂层接触，另一金属电极与P型掺杂层接触，二金属电极均朝上贯通氮化层并达到氧化层表面，二金属电极分布在倒圆锥型槽的两相对侧。