[发明专利]金纳米线修饰的二氧化钛纳米柱阵列SERS基底材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810555708.1 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108802004B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 王永;张敏;徐凯;吴长宇;李菁菁;韩翠平;庄银苹 | 申请(专利权)人: | 徐州医科大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 贾允;肖丁 |
地址: | 221000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种金纳米线修饰的二氧化钛纳米柱阵列SERS基底材料及其制备方法和应用,所述方法以导电玻璃为载体,首先在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列,获得负载二氧化钛纳米柱阵列膜的导电玻璃;然后将负载二氧化钛纳米柱阵列膜的导电玻璃浸泡在含金离子的混合溶液中进行水热反应沉积金纳米线,反应结束后用去离子水清洗并干燥,制得金纳米线修饰的二氧化钛纳米柱阵列SERS基底材料。本发明制备的SERS基底材料不仅具有较好的SERS增强效果,而且具有良好的均一性、稳定性和光催化自清洁性能,可很好地应用于有机和生物分子的分析检测中。 | ||
搜索关键词: | 纳米 修饰 氧化 阵列 sers 基底 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种金纳米线修饰的二氧化钛纳米柱阵列SERS基底材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法为:以导电玻璃为载体,在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列,获得负载二氧化钛纳米柱阵列膜的导电玻璃;然后将负载二氧化钛纳米柱阵列膜的导电玻璃浸泡在含金离子的混合溶液中进行水热反应沉积金纳米线,反应结束后用去离子水清洗并干燥,制得金纳米线修饰的二氧化钛纳米柱阵列SERS基底材料。
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