[发明专利]一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备有效
申请号: | 201810555446.9 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108766989B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振;林奕呈;王玲;盖翠丽;徐攀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备,涉及显示技术,该光学传感器件中包括薄膜晶体管和设置在薄膜晶体管的源漏电极上的PIN器件,且该PIN器件的P区、I区和N区均采用氧化物制作。由于采用氧化物制作PIN器件,不使用非晶硅,所以不会引入H,因此,不会对薄膜晶体管的性能产生影响,进而实现提高显示器件的性能,提高显示效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 传感 器件 及其 制作方法 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种光学传感器件,其特征在于,包括:薄膜晶体管和设置在所述薄膜晶体管的源漏电极上的PIN器件,其中:所述PIN器件的P区、I区和N区采用的材料均为氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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