[发明专利]一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备

说明书

本申请公开了一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备，涉及显示技术，该光学传感器件中包括薄膜晶体管和设置在薄膜晶体管的源漏电极上的PIN器件，且该PIN器件的P区、I区和N区均采用氧化物制作。由于采用氧化物制作PIN器件，不使用非晶硅，所以不会引入H，因此，不会对薄膜晶体管的性能产生影响，进而实现提高显示器件的性能，提高显示效果。

技术领域

本公开一般涉及显示技术，尤其涉及一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备。

背景技术

现有的电路补偿方案是电学补偿，它只能对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阈值电压和迁移率变化造成的显示Mura(显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)进行补偿，但是无法应对OLED器件老化引起的亮度变化的补偿。虽然可以在panel(面板)出厂时对panel整体进行一次光学补偿，但无法解决伴随EL(electroluminescence，冷光片)效率衰减造成的Mura，即无法实现光学实时补偿。因此需要引入光学传感器内置补偿，即在OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件添加了PIN(光敏二极管P-I-N)器件，用于实时监控EL亮度变化，通过外围IC(integratedcircuit，集成电路)计算对panel进行实时光学补偿。

通常做法是在做TFT过程中做光敏Sensor即PIN器件，PIN器件材料采用是非晶硅参杂形成P区、I区、N区，但是在制备PIN器件的过程中会引入大量的H(氢)，H很容易扩散到其下部的TFT，从而严重影响TFT的特性；并且，在PIN制作完成后，TFT的后续制备过程中的湿刻工艺会对使PIN侧壁受损，造成PIN漏电流增大；除此之外，PIN器件制备采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)设备，工艺复杂，生产效率低，这些问题阻碍了光学补偿的应用。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供涉及一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备，以提高显示器件的性能，提高显示效果。

第一方面，本发明实施例提供一种光学传感器件，包括：薄膜晶体管和设置在所述薄膜晶体管的源漏电极上的PIN器件，其中：

所述PIN器件的P区、I区和N区采用的材料均为氧化物。

进一步，所述PIN器件的P区采用P型氧化物；

所述PIN器件的I区采用IGZO；

所述PIN器件的N区采用IGZO且N区的IGZO氧含量低于I区的IGZO。

更进一步，所述P型氧化物具体包括：

Cu2O或SnO。

第二方面，本发明实施例提供一种光学传感器件的制作方法，包括：

制作薄膜晶体管的源漏电极；

在所述源漏电极上采用氧化物依次形成PIN器件的P区、I区和N区。

进一步，所述在所述源漏电极上采用氧化物依次形成PIN器件的P区、I区和N区，具体包括：

在所述源漏电极上依次沉积N区IGZO、I区IGZO、P区P型氧化物，所述N区IGZO的氧含量低于所述I区IGZO；

图形化形成PIN器件。

更进一步，所述P型氧化物具体包括：

Cu2O或SnO。

更进一步，所述在所述源漏电极上依次沉积N区IGZO、I区IGZO、P区P型氧化物之后，所述图形化形成PIN器件之前，还包括：

在所述P区上沉积第一透明导电层。