[发明专利]芯片的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810554653.2 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108987341A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 淀良彰;赵金艳 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B23K26/53
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供芯片的制造方法,能够不使用扩展片而对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤:激光加工步骤,沿着分割预定线仅向芯片区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束,沿着芯片区域的分割预定线形成改质层,并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;以及分割步骤,向被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片,在分割步骤中,通过加热和冷却来赋予力,从而将被加工物分割成各个芯片。
搜索关键词: 被加工物 芯片 分割 分割预定线 芯片区域 改质层 制造 激光加工步骤 外周剩余区域 加热和冷却 激光束 透过性 波长 对板 赋予 照射
【主权项】:
1.一种芯片的制造方法,从被加工物制造出多个芯片,该被加工物具有:芯片区域,其被交叉的多条分割预定线划分成作为该芯片的多个区域;以及外周剩余区域,其围绕该芯片区域,其中,该芯片的制造方法具有如下的步骤:保持步骤,将被加工物直接保持于保持工作台;激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,以将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在保持于该保持工作台的被加工物的内部的方式,沿着该分割预定线仅向被加工物的该芯片区域照射该激光束,沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层,并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;搬出步骤,在实施了该激光加工步骤之后,将被加工物从该保持工作台搬出;以及分割步骤,在实施了该搬出步骤之后,向被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片,在该分割步骤中,通过加热和冷却来赋予该力,从而将被加工物分割成各个该芯片。
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