[发明专利]芯片的制造方法在审
申请号: | 201810554653.2 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108987341A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 淀良彰;赵金艳 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/53 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被加工物 芯片 分割 分割预定线 芯片区域 改质层 制造 激光加工步骤 外周剩余区域 加热和冷却 激光束 透过性 波长 对板 赋予 照射 | ||
提供芯片的制造方法,能够不使用扩展片而对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤:激光加工步骤,沿着分割预定线仅向芯片区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束,沿着芯片区域的分割预定线形成改质层,并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;以及分割步骤,向被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片,在分割步骤中,通过加热和冷却来赋予力,从而将被加工物分割成各个芯片。
技术领域
本发明涉及对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片的芯片的制造方法。
背景技术
为了将以晶片为代表的板状的被加工物(工件)分割成多个芯片,公知有如下方法:使具有透过性的激光束会聚在被加工物的内部,形成通过多光子吸收而进行了改质的改质层(改质区域)(例如,参照专利文献1)。由于改质层比其他区域脆,因此在沿着分割预定线(间隔道)形成改质层之后向被加工物施加力,从而能够以该改质层为起点将被加工物分割成多个芯片。
在向形成有改质层的被加工物施加力时,例如,采用将具有伸展性的扩展片(扩展带)粘贴于被加工物而进行扩展的方法(例如,参照专利文献2)。在该方法中,通常在照射激光束而在被加工物上形成改质层之前,将扩展片粘贴于被加工物,然后,在形成改质层之后对扩展片进行扩展而将被加工物分割成多个芯片。
专利文献1:日本特开2002-192370号公报
专利文献2:日本特开2010-206136号公报
但是,在如上所述的对扩展片进行扩展的方法中,由于不能再次使用已使用过的扩展片,因此制造芯片所需的费用也容易变高。尤其是由于粘合材料不容易残留于芯片的高性能的扩展片价格高昂,因此当使用这样的扩展片时,制造芯片所需的费用也会变高。
发明内容
本发明是鉴于以上问题点而完成的,其目的在于提供能够不使用扩展片而对板状的被加工物进行分割从而制造出多个芯片的芯片的制造方法。
根据本发明的一个方式,提供芯片的制造方法,从被加工物制造出多个芯片,该被加工物具有:芯片区域,其被交叉的多条分割预定线划分成作为该芯片的多个区域;以及外周剩余区域,其围绕该芯片区域,其中,该芯片的制造方法具有如下的步骤:保持步骤,将被加工物直接保持于保持工作台;激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,以将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在保持于该保持工作台的被加工物的内部的方式,沿着该分割预定线仅向被加工物的该芯片区域照射该激光束,沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层,并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;搬出步骤,在实施了该激光加工步骤之后,将被加工物从该保持工作台搬出;以及分割步骤,在实施了该搬出步骤之后,向被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片,在该分割步骤中,通过加热和冷却来赋予该力,从而将被加工物分割成各个该芯片。
在本发明的一个方式中,也可以在实施了该激光加工步骤之后,在实施该分割步骤之前,还具有将该加强部去除的加强部去除步骤。另外,在本发明的一个方式中,该保持工作台的上表面也可以由柔软的材料构成,在该保持步骤中,通过该柔软的材料来保持被加工物的正面侧。
在本发明的一个方式的芯片的制造方法中,在将被加工物直接保持于保持工作台的状态下,仅向被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层,然后通过加热和冷却来赋予力而将被加工物分割成各个芯片,因此不需要为了向被加工物施加力来分割成各个芯片而使用扩展片。这样,根据本发明的一个方式的芯片的制造方法,能够不使用扩展片而对作为板状的被加工物的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
另外,在本发明的一个方式的芯片的制造方法中,仅向被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层,并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部,因此芯片区域被该加强部加强。因此,不会因搬运等时施加的力导致被加工物被分割成各个芯片而无法适当地搬运被加工物。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造