[发明专利]编程的方法及存储器系统

摘要

本发明揭露禁止对存储器阵列中未选定串的存储单元中的单元进行编程的同时对所述存储器阵列中的选定存储单元进行编程的方法及存储器系统。粗略来说，在预充电阶段中，在连接至被选定进行编程的字线但位于未选定串中的存储单元的通道中建立禁止电压。在后续的编程阶段中，选定串中的单元的通道被保持处于低电压，而未选定串中的单元的通道被容许浮置。对选定字线导体施加编程电压Vpgm，对不同于选定字线导体的第一字线导体施加第一通过电压VpassP1，且对第二字线导体施加第二通过电压VpassP。第一字线导体位于选定字线导体与第二字线导体之间，且Vpgm＞VpassP1＞VpassP。

主权项

1.一种在禁止对存储器阵列中未选定串的存储单元中的单元进行编程的同时对所述存储器阵列中的选定存储单元进行编程的方法，所述存储器阵列包括：多个字线导体，多串串联连接的存储单元，所述串与所述字线导体交叉，且所述存储单元位于所述字线导体与所述串之间的交叉点处，各所述串具有各自相对的第一端与第二端，以及多个位线导体，分别连接至所述串的相应的不同子集的各自的第一端，其中所述多串的存储单元中的一个串是选定串，且所述多串的存储单元中的另一串是所述未选定串，所述字线导体中选定的一个字线导体是在所述选定存储单元处与所述选定串交叉的所述字线导体，所述方法包括：在编程循环的预充电阶段期间，在与所述选定字线交叉的所述未选定串中的所述存储单元的通道中建立禁止电压；以及在所述预充电阶段之后的所述编程循环的编程阶段期间，在与所述选定字线交叉的所述未选定串中的所述存储单元的所述通道浮置的同时：在与所述选定字线交叉的所述选定串中的所述存储单元的通道中建立低通道电压，对所述选定字线导体施加编程电压Vpgm，Vpgm与所述低通道电压之间的差值足以使能与所述选定字线交叉的所述选定串中的所述存储单元的编程，对在第一存储单元处与所述选定串交叉的所述字线导体中的第一字线导体施加第一通过电压VpassP1，以及对在第二存储单元处与所述选定串交叉的所述字线导体中的第二字线导体施加第二通过电压VpassP，所述第一字线导体位于所述选定字线导体与所述第二字线导体之间，其中Vpgm＞VpassP1＞VpassP。