[发明专利]一种Boost电路在审
申请号: | 201810543794.4 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108494254A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 任建光 | 申请(专利权)人: | 任建光 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M1/42;H02J7/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 浙江省湖州市安吉县天*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种Boost电路,包括6个电感L3‑L8,14个二极管D3‑D16,12个三极管Q1‑Q12,42个电阻R5‑R46,6个MOS管M1‑M6,1个电容C11。能够满足6路交错并联型Boost PFC电路的应用需求,用以克服传统功率因数校正电路Boost电感打,输出功率小,电路的开关器件承受电流和电压大,电流纹波大等缺点。 | ||
搜索关键词: | 电感 因数校正电路 二极管 传统功率 电流纹波 交错并联 开关器件 输出功率 应用需求 三极管 电容 电阻 电路 | ||
【主权项】:
1.一种Boost电路,其特征在于,包括6个电感L3‑L8,14个二极管D3‑D16,12个三极管Q1‑Q12,42个电阻R5‑R46,6个MOS管M1‑M6,1个电容C11;电感L3‑L8的一端和二极管D3,D4的正极连接于输入端VIN;L3的另一端和MOS管M1的D端,二极管D5的正极相连接,电感L4的另一端和MOS管M2的D端,二极管D6的正极相连接,电感L5的另一端和MOS管M3的D端,二极管D7的正极相连接,电感L6的另一端和MOS管M4的D端,二极管D8的正极相连接,电感L7的另一端和MOS管M5的D端,二极管D9的正极相连接,电感L8的另一端和MOS管M6的D端,二极管D10的正极相连接;MOS管M1的G端和电阻R6‑R8的一端相连接,MOS管M2的G端和电阻R13‑R15的一端相连接,MOS管M3的G端和电阻R20‑R22的一端相连接,MOS管M4的G端和电阻R27‑R29的一端相连接,MOS管M5的G端和电阻R34‑R36的一端相连接,MOS管M6的G端和电阻R41‑R43的一端相连接;MOS管M1的S端和电阻R8的另一端,R9‑R11的一端,三极管Q1的C极相连接于CSA1,MOS管M2的S端和电阻R15的另一端,R16‑R18的一端,三极管Q2的C极相连接于CSB1,MOS管M3的S端和电阻R22的另一端,R23‑R25的一端,三极管Q3的C极相连接于CSA2,MOS管M4的S端和电阻R29的另一端,R30‑R32的一端,三极管Q4的C极相连接于CSB2,MOS管M5的S端和电阻R36的另一端,R37‑R39的一端,三极管Q5的C极相连接于CSA3,MOS管M6的S端和电阻R43的另一端,R44‑R46的一端,三极管Q6的C极相连接于CSB3;电阻R9‑RM11,R16‑R18,R23‑R25,R30‑R32,R37‑R39,R44‑R46另一端连接于GND;电阻R7的另一端和二极管D11的正极相连,电阻R14的另一端和二极管D12的正极相连,电阻R21的另一端和二极管D13的正极相连,电阻R28的另一端和二极管D14的正极相连,电阻R35的另一端和二极管D15的正极相连,电阻R42的另一端和二极管D16的正极相连;电阻R6的另一端和二极管D11的负极,三极管Q1的E极,三极管Q2的E极相连,电阻R13的另一端和二极管D12的负极,三极管Q3的E极,三极管Q4的E极相连,电阻R20的另一端和二极管D13的负极,三极管Q5的E极,三极管Q6的E极相连,电阻R20的另一端和二极管D13的负极,三极管Q7的E极,三极管Q8的E极相连,电阻R34的另一端和二极管D15的负极,三极管Q9的E极,三极管Q10的E极相连,电阻R41的另一端和二极管D16的负极,三极管Q11的E极,三极管Q12的E极相连;三极管Q1,Q3,Q5,Q7,Q9,Q11的C极连接于12V;三极管Q1的B极和三极管Q2的B极,电阻R5的一端相连接,三极管Q3的B极和三极管Q4的B极,电阻RM12的一端相连接,三极管Q5的B极和三极管Q6的B极,电阻R19的一端相连接,NPN三极管Q7的B极和PNP三极管Q8的B极,电阻R26的一端相连接,三极管Q9的B极和三极管Q10的B极,电阻R33的一端相连接,三极管Q11的B极和三极管Q12的B极,电阻R40的一端相连接;电阻R5的另一端连接脉冲输入端GDA1,电阻R12的另一端连接脉冲输入端GDB1,电阻R19的另一端连接脉冲输入端GDA2,电阻R19的另一端连接脉冲输入端GDA2,电阻R26的另一端连接脉冲输入端GDB2,电阻R33的另一端连接脉冲输入端GDA3,电阻R40的另一端连接脉冲输入端GDB3;二极管D5‑D10,D3,D4的负极和输出滤波电容C11的正极连接于输出端VOUT,输出滤波电容的负极连接于GND;所述二极管D3‑D10为快恢复二极管,D11‑D16为肖特基二极管,三极管Q1,Q3,Q5,Q7,Q9,Q11为NPN三极管,Q2,Q4,Q6,Q8,Q10,Q12为PNP三极管,MOS管M1,M2,M3,M4,M5,M6为N沟道MOS场效应晶体,电阻R9‑R11,R16‑R18,R23‑R25,R30‑R32,R37‑R39,R44‑R46为功率电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于任建光,未经任建光许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810543794.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。