[发明专利]一种用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器在审
申请号: | 201810541537.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108405005A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 金建;邸思;袁海 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院;广州中国科学院先进技术研究所 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 广州容大专利代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人: | 刘新年 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器;涉及微纳加工技术领域,该填充阻隔器为一个嵌入基底的用于分流填充量的凹槽结构,位于键合胶层填充沟槽结构时所产生的膨胀中心线的中心位置;通过引入填充阻隔器结构,以降低键合过程中压力所产生的位移,分流填充量,从而抑制顶部填充,减少通道制作时堵塞的发生。 | ||
搜索关键词: | 填充 阻隔器 键合 密封堵塞 纳米通道 填充量 微纳加工技术 分流 凹槽结构 沟槽结构 键合过程 膨胀中心 基底 胶层 嵌入 堵塞 引入 制作 | ||
【主权项】:
1.一种用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,该填充阻隔器为一个嵌入基底的用于分流填充量的凹槽结构,位于键合胶层填充沟槽结构时所产生的膨胀中心线的中心位置。
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