[发明专利]一种用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器在审

专利信息
申请号: 201810541537.7 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN108405005A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 金建;邸思;袁海 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院;广州中国科学院先进技术研究所
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 广州容大专利代理事务所(普通合伙) 44326 代理人: 刘新年
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 填充 阻隔器 键合 密封堵塞 纳米通道 填充量 微纳加工技术 分流 凹槽结构 沟槽结构 键合过程 膨胀中心 基底 胶层 嵌入 堵塞 引入 制作
【权利要求书】:

1.一种用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,该填充阻隔器为一个嵌入基底的用于分流填充量的凹槽结构,位于键合胶层填充沟槽结构时所产生的膨胀中心线的中心位置。

2.根据权利要求1所述的用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,所述的膨胀中心线为:与键合胶层膨胀方向垂直、穿过膨胀方向高度中心点的一条线段。

3.根据权利要求1所述的用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,当沟槽结构为相互平行的多个矩形沟槽时,此时产生一条膨胀中心线,则填充阻隔器也采用相平行的矩形沟槽,且填充阻隔器宽度大于沟槽结构宽度。

4.根据权利要求1所述的用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,当沟槽结构为复杂结构时,即此时产生多条不同方向的膨胀中心线,则填充阻隔器设置于所有沟槽结构的中心位置。

5.根据权利要求1所述的用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,所述的填充阻隔器采用圆形的凹槽结构。

6.根据权利要求1或3或4所述的用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器,其特征在于,所述的沟槽结构为微纳通道。

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