[发明专利]一种管式CVD炉用接头、二维材料及其生长装置和方法

摘要

本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。

主权项

1.一种管式CVD炉用接头，其特征在于：包括主体，所述主体的一端用于进气，另一端与管式CVD炉连通；所述主体上设有若干蒸发源加热腔及观察窗；所述蒸发源加热腔的底端封闭，用于装载不同的蒸发源材料，另一端与主体连接，连接处设有挡板；所述蒸发源加热腔内设有温控装置；所述挡板与温控装置与管式CVD炉的控制系统电连接，用于独立控制进气、加热温度和时间；所述观察窗数量与蒸发源加热腔相匹配。