[发明专利]一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件在审
| 申请号： | 201810540939.5 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108682656A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李方红;黄进清;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/52 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件，所述复合硅基板包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。本发明的复合硅基板同时具有硅和第三代半导体材料两种半导体材料区，能够同时满足高速通讯和快速逻辑运算的需求，在电子器件领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 复合硅 基板 电子器件 第三代 硅衬底 制备 半导体材料 芯片 半导体材料层 半导体材料区 电子器件领域 绝缘缓冲层 高速通讯 逻辑运算 凹陷区 凹陷 应用 | ||
【主权项】：
1.一种复合硅基板，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。
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