[发明专利]一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件在审
| 申请号： | 201810540939.5 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108682656A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李方红;黄进清;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/52 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合硅 基板 电子器件 第三代 硅衬底 制备 半导体材料 芯片 半导体材料层 半导体材料区 电子器件领域 绝缘缓冲层 高速通讯 逻辑运算 凹陷区 凹陷 应用 | ||
1.一种复合硅基板，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。
2.根据权利要求1所述的复合硅基板，其特征在于，所述绝缘缓冲层的材料为氮化硅、SiON、Al2O3中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的复合硅基板，其特征在于，所述硅衬底为SOI晶片。
4.根据权利要求2所述的复合硅基板，其特征在于，所述SOI晶片中的绝缘衬底为蓝宝石、氮化铝中的至少一种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的复合硅基板，其特征在于，所述第三代半导体材料层的材料为氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝中的至少一种。
6.权利要求1-5任一项所述的复合硅基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取硅衬底，在所述硅衬底的表面刻蚀出凹陷区；
(2)在所述凹陷区内制备氮化硅缓冲层；
(3)在所述凹陷区的氮化硅缓冲层上制备第三代半导体材料层。
7.根据权利要求6所述的复合硅基板的制备方法，其特征在于，步骤(1)中采用黄光制程、激光刻蚀、干法刻蚀、湿法刻蚀中的任一种工艺刻蚀出凹陷区。
8.根据权利要求6所述的复合硅基板的制备方法，其特征在于，步骤(2)中采用化学气相沉积法、等离子体增强化学的气相沉积法、蒸镀工艺、溅镀工艺中的任一种工艺制备氮化硅缓冲层。
9.根据权利要求6所述的复合硅基板的制备方法，其特征在于，步骤(3)中采用金属有机化合物化学气相沉淀法制备第三代半导体材料层。
10.一种芯片，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的复合硅基板或权利要求6-9任一项复合硅基板的制备方法制得的复合硅基板。
11.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求10所述的芯片。
12.根据权利要求11所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件为LED显示器、LCOS显示器、高电子迁移率晶体管中任一种。
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